BCR 153L3 E6327
Hersteller Produktnummer:

BCR 153L3 E6327

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BCR 153L3 E6327-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V TSLP-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 250 mW Surface Mount PG-TSLP-3-4

Inventar:

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BCR 153L3 E6327 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 20mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 20mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
250 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSLP-3-4
Basis-Produktnummer
BCR 153

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
BCR 153L3 E6327
HTML-Datenblatt
BCR 153L3 E6327-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
15,000
Andere Namen
BCR153L3E6327
BCR 153L3 E6327-DG
BCR153L3E6327XT
SP000014866

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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